收藏本站
Si4940DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
0.10
0.08
V GS = 4.5 V
600
500
C iss
400
0.06
300
0.04
V GS = 10 V
200
0.02
0.00
100
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
8
16
24
32
40
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 20 V
I D = 5.7 A
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 5.7 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3 A
I D = 5.7 A
0.06
0.04
T J = 25 °C
0.02
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71649
S09-0704-Rev. D, 27-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4943BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4943CDY-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
SI4966DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4972DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4973DY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI5040-D-GM IC TXRX XFP 10GBPS 32LGA
SI5402DC-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI4941EDY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4942DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4942DY-T1 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4942DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4942DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4943BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4943BDY-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4943BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube